12月14日，深圳青銅劍科技股份有限公司（以下簡稱“深圳青銅劍”）科技大廈順利封頂。

據(jù)悉，由深圳青銅劍投建的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市年度重大項目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地逾8000平方米，總建筑面積近50000平方米。該基地于2021年1月正式開工，將作為青銅劍科技集團總部，同時建設第三代半導體研發(fā)中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等。

青銅劍第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地效果圖

深圳青銅劍專注于IGBT和碳化硅MOSFET等功率器件驅(qū)動的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務，致力于為客戶提供集成化、智能化、自主可控的電力電子解決方案。其已推出IGBT標準驅(qū)動核、即插即用型驅(qū)動器、碳化硅驅(qū)動器等全系列產(chǎn)品，以及新能源汽車電驅(qū)功率模組、光伏風電多并聯(lián)集成驅(qū)動等解決方案。