隨半導體產業(yè)朝更先進制程發(fā)展之際，iST 宜特科技材料分析檢測技術再突破！iST 宜特經過一整年的沖刺，檢測技術至今年已突破 10 奈米制程，不僅協助多間客戶在先進制程產品上完成 TEM 分析與驗證，其技術能量更深獲 IEEE 半導體元件故障分析領域權威組織 IPFA（International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，積體電路失效分析論壇）肯定，于會議期間發(fā)表最新研究成果。

　　宜特觀察發(fā)現，近年來，企業(yè)為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智慧產品之需求，各大廠在先進制程開發(fā)的腳步越來越快，已從去年 20 奈米制程，邁入今年的 14 奈米制程；其中包括臺積電、英特爾、三星等大廠，更預計陸續(xù)于明年進入 10 奈米以下的量產階段，因此帶動整個供應鏈的 TEM 分析需求。

　　宜特進一步指出，繼去年布建業(yè)界 EDS 元素分析能力最強的 TEM 設備，聘雇多位博士級的 TEM 專家，如國內頂尖 TEM 權威──鮑忠興博士，經過一整年的沖刺，不僅產能大躍進，其檢測分析能量更是從去年 14 奈米，向下突破至 10 奈米制程，更深獲多間客戶如 LED 磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠的肯定，檢測產能滿載，下半年持續(xù)擴產以因應客戶需求。

　　宜特科技材料分析工程部經理陳聲宇博士表示，宜特材料分析技術能量有目共睹，更獲得 IPFA 肯定，于本月舉行的會議中，發(fā)表“利用高準確性的 TEM / EDS 技術分析先進 NAND flash 產品”之論文。此成果可應用于先進半導體制程中介電層材料（dielectric layer）的分析之上。

　　▲ 左圖為韓系大廠最新垂直堆疊 Flash 記憶體（V-NAND）的 TEM 影像。右圖為記憶體單元未受損傷的 TEM / EDS 分析結果。

　　陳聲宇進一步指出，先進制程的介電層材料，往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷，分析難度相當高。宜特運用業(yè)界最高規(guī)格的 TEM / EDS 機臺，并充分優(yōu)化實驗參數，成功在介電層材料遭受損傷前，迅速完成訊號的收集，得到準確的元素分布資訊，提供研發(fā)工程師改善制程時，最有力的依據。因此才能在短時間內，成為客戶在研發(fā)階段，提升開發(fā)競爭力的最佳夥伴。