平安城市信息安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù)要點(diǎn)探討
在信息技術(shù)快速發(fā)展的今天,單一的保密措施已很難保證通信和信息的安全,必須綜合應(yīng)用各種保密措施。此文中我們將針對(duì)平安城市中的物理安全、網(wǎng)絡(luò)安全、主機(jī)安全、數(shù)據(jù)及應(yīng)用安全等分別展開具體的分析探討。 [詳情]
勞斯萊斯最新概念車Vision 100將大量采用3D打印技術(shù)
繼賓利之后,著名奢侈汽車品牌勞斯萊斯也開始探索通過3D打印技術(shù)來研發(fā)汽車了。近日,他們就展示了這樣一款代號(hào)103EX的最新Vision 100概念車。 [詳情]
【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線技術(shù)發(fā)展方向明確
由IEEE Electron Device Society主辦的半導(dǎo)體互連技術(shù)相關(guān)國際會(huì)議“IEEE International Interconnect Technology Conference(IITC)2016”于5月23~26日在美國圣荷西舉辦。 [詳情]
日前,三家英國設(shè)計(jì)公司聯(lián)手打造了一款重量低于1kg的鈦合金3D打印自行車車架。 [詳情]
【盤點(diǎn)】六種工業(yè)機(jī)器人PK 及關(guān)鍵技術(shù)
近年,工業(yè)機(jī)器人的熱度持續(xù)升溫。在全球工業(yè)升級(jí)變革中,工業(yè)機(jī)器人肩負(fù)提高工廠自動(dòng)化程度,提高生產(chǎn)力與生產(chǎn)效率的重?fù)?dān)。在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)中,機(jī)器人種類繁多。今天我們就對(duì)各類工業(yè)機(jī)器人性能進(jìn)行大比拼。 [詳情]
本文介紹一種開放式門禁無障礙通道閘應(yīng)用方案系統(tǒng)。 [詳情]
VR 設(shè)計(jì)見聞錄:?jiǎn)栴}、機(jī)遇、成人內(nèi)容
整個(gè)行業(yè)都在忙著炒作VR概念,在中文領(lǐng)域卻很少有人實(shí)際來寫這些VR內(nèi)容的形式與成就,旗艦自然也想要寫點(diǎn)什么…… [詳情]
您知道么?很多自詡自己車輛多么多么安全的車主朋友們,他們的車上卻都“潛伏”著不少有可能致命的小飾品,下面編輯給您細(xì)數(shù)一下到底是什么小東西會(huì)“害人”,如果恰巧您的車上也有,那么趕緊扔掉! [詳情]
AVM Biotech融資1750萬美元用于干細(xì)胞輸送技術(shù)研發(fā)
一份經(jīng)過 AVM 執(zhí)行董事 Michael Kuran 確認(rèn)的 SEC(美國證監(jiān)會(huì))備案文件顯示,AVM 在此輪共融資 1750 萬美元。但該文件并沒有透露更為詳盡的信息,包括投資人的身份及這筆錢的具體應(yīng)用方案。 [詳情]
當(dāng)今世界,為物體和數(shù)據(jù)建立3D模型的表現(xiàn)方式是大受追捧的手段,并被廣泛應(yīng)用在制造業(yè)、數(shù)據(jù)可視化、醫(yī)學(xué)和娛樂等方面。 [詳情]
被網(wǎng)友們戲稱為“燈廠”的奧迪品牌,正是通過它在汽車燈光設(shè)計(jì)領(lǐng)域的引領(lǐng)創(chuàng)新,才贏得了這樣善意褒獎(jiǎng)的綽號(hào)。燈光設(shè)計(jì)對(duì)于奧迪來說不僅是照明需要,更是品牌價(jià)值的美學(xué)體現(xiàn)。 [詳情]
優(yōu)越的成像表現(xiàn) 濱松科研相機(jī)在生命科學(xué)中的應(yīng)用
濱松,對(duì)于大部分人來講,多數(shù)是被視為一個(gè)光電探測(cè)產(chǎn)品的企業(yè)。但其實(shí),我們?cè)诔上耦I(lǐng)域中也有著豐富的產(chǎn)品,包括sCMOS相機(jī)、CCD相機(jī)、以及CCD技術(shù)下的TDI相機(jī)。 [詳情]
3D掃描講解:可供研發(fā)人員參考的五個(gè)基本步驟
高品質(zhì)的掃描儀能快速提供多種物體的精確測(cè)量值,并且有著高分辨率及低創(chuàng)性;此類掃描儀易于使用,同時(shí)極具成本效益。 [詳情]
舞臺(tái)燈光的特點(diǎn)及其設(shè)計(jì)要點(diǎn)
現(xiàn)代燈光藝術(shù)中,光的強(qiáng)弱、色彩、分布、運(yùn)動(dòng)均可塑造人物和景物的形態(tài)、立體感、空間感、又均可通過控制設(shè)備進(jìn)行組合調(diào)配及變化。 [詳情]
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管 的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。 [詳情]