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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)。 [詳情]

LED照明光衰問題探討

大多數(shù)白色LED是由藍(lán)色LED照射黃色熒光粉而得到的。引起LED光衰的主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是藍(lán)光LED本身的光衰，藍(lán)光LED的光衰遠(yuǎn)比紅光、黃光、綠光LED要快。還有一個(gè)是熒光粉的光衰，熒光粉在高溫下的衰減十分嚴(yán)重。 [詳情]

CO2激光鏡片的保養(yǎng)

激光波長從高吸收鏡片上透過或反射時(shí)激光功率的分布不均勻使鏡片中心溫度高，邊緣溫度低，產(chǎn)生這種變化在光學(xué)上稱透鏡效應(yīng)。 [詳情]

MOCVD技術(shù)在光電薄膜方面的應(yīng)用及其最新進(jìn)展

MOCVD技術(shù)在半導(dǎo)體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發(fā)展中的半導(dǎo)體超精細(xì)加工技術(shù)，MOCVD技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展將會(huì)給微電子技術(shù)和光電子技術(shù)帶來更廣闊的前景。 [詳情]

高精度激光直寫數(shù)字伺服濾波器的設(shè)計(jì)

影響光刻元件的質(zhì)量取決于載物平臺(tái)的定位精度以及運(yùn)動(dòng)的穩(wěn)定性，影響光刻元件的快速性取決于系統(tǒng)的響應(yīng)度。 [詳情]

激光打標(biāo)應(yīng)用在低壓電器上的原理及優(yōu)勢(shì)

激光打標(biāo)機(jī)通過激光的作用來很好的完成標(biāo)識(shí)在工件上的打標(biāo)工作，不會(huì)像油墨打印一樣是將標(biāo)識(shí)附著在工件的表面，這樣就保證了打標(biāo)效果的持久性，不會(huì)因?yàn)槲覀兪种傅拈L時(shí)間的觸摸而出現(xiàn)消失的狀況，這對(duì)我們正確的對(duì)低壓電器進(jìn)行操作發(fā)揮著十分重要的作用。 [詳情]

業(yè)內(nèi)關(guān)于改善LED散熱性能的相關(guān)途徑分析

大功率LED 的發(fā)卡路里比小功率LED高數(shù)十倍以上，并且溫升還會(huì)使閃光速率大幅下跌。具體內(nèi)部實(shí)質(zhì)意義作別是：減低芯片到封裝的熱阻抗、制約封裝至印刷電路基板的熱阻抗、增長芯片的散熱順利通暢性。 [詳情]

半/非極性面2英寸GaN基板：改進(jìn)LED及的撒手锏

在白色LED中使用的藍(lán)色LED芯片及藍(lán)光光驅(qū)光源用藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器，目前新型的GaN基板有望使這些GaN類半導(dǎo)體發(fā)光元件的性能得到大幅提高。 [詳情]

激光熱處理/熔覆技術(shù)在機(jī)械、石化行業(yè)中的應(yīng)用實(shí)例

典型的易失效零部件包括葉輪、大型轉(zhuǎn)子的軸頸、輪盤、軸套、軸瓦等，其中許多零件價(jià)格昂貴，涉及的零部件品種很多，形狀復(fù)雜，工況差異較大。還有大型火力發(fā)電機(jī)組的大型轉(zhuǎn)子、動(dòng)葉片與靜葉片都是需要進(jìn)行強(qiáng)化或者修復(fù)。 [詳情]

集成的三電平IGBT功率模塊

通過將一個(gè)完整的三電平橋臂集成在一個(gè)模塊內(nèi)部，把器件耐壓提高到，然后配上較高集成度的驅(qū)動(dòng)解決方案，這種三電平NPC拓?fù)錇橹?、小功率逆變器如高效的UPS、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案。 [詳情]

IPM在電力機(jī)車大功率開關(guān)電源中的應(yīng)用研究

智能功率模塊IPM在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。在此詳細(xì)描述了IPM的結(jié)構(gòu)和外型，著重闡明了IPM中的自我保護(hù)機(jī)制，以便于蝙程實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，給出了具體設(shè)計(jì)的電路圖和選型資料。通過實(shí)際現(xiàn)場調(diào)試，現(xiàn)場保護(hù)靈敏度高，運(yùn)行穩(wěn)定可靠。 [詳情]

金屬的激光表面處理

激光表面處理包括固態(tài)轉(zhuǎn)變過程和熔化過程。前過程包括硬化、回火、硬化沖擊。而在熔化過程中包括再次熔化，合金，復(fù)合，分散硬化。 [詳情]

CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

介紹了一個(gè)實(shí)用ＩＧＢＴ驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路的ＣＰＬＤ設(shè)計(jì)并給出了該設(shè)計(jì)的仿真波形。 [詳情]

基于激光刻蝕的太陽能電池選擇性摻雜技術(shù)

卷到卷生產(chǎn)的靈活性太陽能電池是最有希望實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)成本削減的。對(duì)于滿足這種需要的技術(shù)，ROFIN公司提供了一種新的高速處理以及高度定制化的卷到卷太陽能電池生產(chǎn)系統(tǒng)。 [詳情]

具有自保護(hù)功能的IGBT厚膜集成電路HL402A（B）的原理及應(yīng)用

介紹了性能比進(jìn)口IGBT厚膜驅(qū)動(dòng)器更為優(yōu)良且具有保護(hù)功能的國產(chǎn)IGBT厚膜驅(qū)動(dòng)器集成電路HL402A（B）的引腳排列、功能和用法，給出了其主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)和電參數(shù)限制，剖析了它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了應(yīng)用電路。 [詳情]